基督教的下降
EMI垫圈导电硬件设计符合关节表面,并提供一个低阻抗路径。压缩在两个金属法兰,密封垫提供了一个复杂的阻抗和电阻,电感和电容特性。这将随频率、材料、压缩率、几何形状的关节,等。与此同时,主要区别也观察到不同类型的垫片。例如导电粒子加载硅树脂目前重要的变化与压缩效率(大变化的电子导电粒子)之间的联络人。beplay官方免费下载表面接触的主要标准是Fabric-over-Foam垫片和金属垫片fingerstocks铍铜合金,与频率发生变化主要由于槽模式在手指之间。作为一个与所有这些变量参数可以预测,垫片的描述相当具有挑战性的运动。
了解测量技术目前可用垫片行业,应该引用IEEE Std 1302在1998年首次发布,2008年修订。它是一个指导性文件,收集和比较的大多数方法可用(2008年)的表征EMI垫圈从直流到18 GHz。文档提供了一个依据比较使用不同的技术。它由三个部分组成:完整的标准化方法,替代方法来源于标准和替代非标准化的方法。每个方法在这里不讨论(请参阅1302年IEEE Std),但可能最受欢迎的一个。
标准的迄今为止最常用的是毫无疑问,密尔迪泰83528 C。这个孔径衰减方法源自前者Mil Std 285 (IEEE 299)取代特征的屏蔽效能的垫片(SE) 20 MHz到10 GHz(可能扩展到18 GHz)。测试设置由一个屏蔽室的开放610/610毫米(24 / 24)与一个发射天线和接收天线在房间外,天线之间的距离两米。
第一次测量是由一个天线通过开幕式和第二个是当打开封闭的金属板与被测试垫片安装在压缩。方法措施前后场金属/垫片,垫片的屏蔽效能是:20日志E1和E2 (H1、H2)或不同测量在dB 20 MHz到10 GHz。
该方法有一个理论+ / - 6 - 10 dB的可重复性。然而,重复性可以恶化+ / - 20 dB小变化的天线位置接近半波长时的特征维度屏蔽室(改变天线在测试的过程中为每个3年)。另一个问题是垫片的大小,可以用这种方法进行测试。重叠的金属板上的屏蔽室壁引起电容耦合效应测量垫片时小。还有其他的问题,比如开放的大小及其衰减,频率限制,金属螺丝的影响(取代有时孤立的夹子),等等。在实践中,绝对值SE应采取非常谨慎的各种原因解释道。可以看出抵消与实际值获得的应用程序,与频率增加。方法的主要兴趣可能是它是一个标准,这样测量根据Mil迪泰83528 c可以比较,尤其是测试是由一个独立的实验室。规范要求至少5测量每十年,通常,垫圈技术文档提供了15个测量的平均值。
的另一个主要标准SAE ARP 1705、电流注入法测量转移阻抗。当一个电磁场影响到金属屏障,它诱发电流进而创建一个电压辐射的缝。
转移阻抗测量技术,目前,可能造成与电磁场耦合,直接注入方式。因此通过seam的电压测量。电压/电流比值在1米长度定义了转移阻抗的垫片用分贝表示欧姆/ m。电流注入方法具有良好的可重复性的+ / - 3 - 6 dB。SAE ARP 1705启仅限于1.5 GHz和修订C过程中应该扩展10到18个GHz的频率范围。测量夹具模块可以很容易地修改,以适应不同的金属,这样接触的退化可以研究不同老化条件下。这种方法提供了一个密封接头的导电率的直接指示但讨论仍持续转移阻抗和屏蔽效能之间的关系。Shelkunoff模型,总体衰减材料反射和吸收的因素的总和。反射系数并不被认为是转移阻抗。
屏蔽效能的测量体积小垫圈、TEM-T和Ht细胞方法者优先。这是一个非标准化测试方法描述了1302年IEEE Std和用于研发由于其良好的可重复性(1 - 3 dB)。TEM-t TEM模式下输电线路设备模拟远场条件。TEM-t切的方形同轴固定在中间,持有人压缩衬垫之间可以插入测试测量设备的两半。谷岩细胞是由一组两个小环天线模拟磁近场。
在下面的例子中,Ht细胞被用来评估底部的一个小变形的影响(凹凸)Fabric-over-Foam维形状垫片与一个标准的平底。修改的目的是提高效率在低压缩结合非导电压敏胶粘剂。在0% -10% -20% SE测量被压缩(自由高度的垫片)。垫片,SEM DYNASHEAR EJ9, 2.3毫米高,压缩了10%只有0.23毫米高的一种变体。结果表明,平底垫片,最低20%的压缩必须应用克服胶粘剂的隔离层,而底部的一个小肿块,大量SE已经获得在低压缩。谷岩细胞是一个很好的方法来描述SE等小变化的压缩和这样一个小垫片。绝对SE不是非常高,但主要是由于短天线和垫片之间的距离,因此较低的特性阻抗不匹配的固有阻抗磁场和密封接头。频率范围是100 - 500 MHz。
大多数电子设备工作比过去更高的速度和最新的技术,系统取空间越来越少。接近创造了新的挑战与电路之间的相互影响设备的功能,信号完整性已经成为更具挑战性,不仅仅是合规的屏蔽设备到一个特定的标准。在美国,对于辐射测试,FCC(标题47 15.33部分)需要对系统频率最高的1 ghz,测试5。谐波或40 GHz(哪个是最低的)。测试电子设备40 GHz开始是非常常见的电子产品在特定的领域。可以看到,有一个主要的差距可用标准垫片行业和市场的需求。因此技术委员会开始工作的修正和扩展IEEE标准1302来自18个GHz 40 GHz。在写这篇文章的时候,没有太多的工作进展描述的EMI垫圈40 GHz。主要的一个是的带状线方法。
内的电子材料,与教授J。Catrysse教授和D。Pissoort KULab的雷米的研究小组KULeuven (Leuven-Belgium大学),开发了一种新的测试夹具的屏蔽导电垫片40 GHz的有效性。这个夹具的原理是基于一种方法被首次引入b教授Koerber测量集成电路的辐射发射和易感性(IEC 61967 - 8和IEC 62132 - 8)。方法利用带状线天线关闭印刷电路板。
在新的带状线夹具,集成电路的印刷电路板测试下被一个小微带天线嵌入到地平面内的空腔。可以封闭空腔通过压缩测试下垫片的厚板。带状线天线覆盖设置。
测试程序,类似于IEEE 299或83528毫升迪泰C,如下:
1)直接测量从微带带状线建立一个参考(测量前的信号屏蔽)。
2)测量被测试的封闭腔垫片(盾后的信号的测量)
3)区别两个测量在dB是垫片的屏蔽效能。
重复性很好即使信号噪声。以下图表上我们可以看到SE获得从1到40 GHz fabric-over-foam垫片3×9毫米,和一个金属fingerstock D -槽的形状相同的维度,但0.45毫米和手指宽度为4.32毫米。两人都从自由高度压缩到50%。fabric-over-Foam垫圈有相当稳定的响应,而金属垫片显示从12 GHz连续下降,因为手指之间的槽。槽的衰减将不同功能模式和带状线夹具是一个有趣的意思算出它对SE在高频率的影响。
另一个例子是一个I / O连接器的SE测量导电织物制成的垫片在非导电泡沫核心。垫片是制造所需的宽度,然后根据连接器外壳的尺寸打孔。这种类型的解决方案运行良好在过去大多数的问题在该地区300 MHz。带状线方法表明,这种解决方案1 GHz。事实上随着频率增加,开口创建非导电泡沫核心的打孔漏水,有时返回当前路径之间的阻抗法兰甚至可能创建天线效应,带状线方法表明,通过使用一个导电织物在Z导电泡沫核心,得到了很大改进。低频织物带来重大贡献,随着频率的增加,Z导电泡沫核心确保更高的屏蔽和更短的返回电流路径做这个垫片建设宽带解决方案(SEM Ref ORS-II)。
带状线方法一些其他有趣的特征特性。微带天线跟踪板上,印刷电路板环境预计转载,这样可以获得的数据在一个类似的环境。出于这个原因,这种方法可能会考虑在未来的描述印刷电路板保护罐。
支持的测试方法将很快从SAE标准(汽车和航空航天工程师学会)参考SAE ARP 6248。
引用
IEEE标准1302转速。2008:IEEE指导电磁特性的导电垫片直流18 GHz的频率范围
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