一个新的功率MOSFET,也被称为Si8457DB由威世半导体已经发布,Inc .这12 V Chipscale微脚旨在延长电池寿命和降低功耗电子设备。
Si8457DB的特性包括一个低导通电阻为1.8 V,额外的安全功能,节省空间,少用电,极低的电压降,减少浪费的热量,和低脉冲峰值电流。也可以打开不需要电荷泵,可以使用许多不同的控制器。MOSFET的收益率增加百分之一百一十七效率超过之前的设备和模型。
“设计用于电池开关和负荷开关在电源管理应用程序中,19 mΩSi8457DB特性导通电阻的-4.5 V, 23.4 mΩ-2.5 V,和35 mΩ-1.8 V,”根据公司。