MILMEGA总经理帕特摩尔将在13日国际展览展示电磁兼容性在北京,中国,2008年6月10 - 12日。演讲的主题是“宽的带隙的优点为muliti八度晶体管放大器的设计。“在这个演讲帕特摩尔将概述的优点,使用新一代的晶体管技术,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),使Milmega 200 - mhz 1 ghz 1200 w产品和2 - 6-GHz 50 w的产品发展,分别。
EMI / EMC工程师
MILMEGA总经理帕特摩尔将在13日国际展览展示电磁兼容性在北京,中国,2008年6月10 - 12日。演讲的主题是“宽的带隙的优点为muliti八度晶体管放大器的设计。“在这个演讲帕特摩尔将概述的优点,使用新一代的晶体管技术,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),使Milmega 200 - mhz 1 ghz 1200 w产品和2 - 6-GHz 50 w的产品发展,分别。